Регион: Украина Изменить

Тип памяти:DDR3; Тактовая частота:1333 МГц; Объем:1 модуль 4 Гб; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Пропускная способность:10600 Мб/с; Напряжение питания:1.5 В; Тип памяти:DDR3; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Тактовая частота:1333 МГц; Пропускная способность:10600 Мб/с; Объем:1 модуль 4 Гб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет;

Тип памяти:DDR3; Тактовая частота:1333 МГц; Напряжение питания:1.5 В; Форм-фактор:SODIMM 204-контактный; Объем:1 модуль 2 Гб; Тип памяти:DDR3; Форм-фактор:SODIMM 204-контактный; Тактовая частота:1333 МГц; Объем:1 модуль 2 Гб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет; CAS Latency (CL):9; Напряжение питания:1.5 В;

Тип памяти:DDR3; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Тактовая частота:1600 МГц; Пропускная способность:12800 Мб/с; Объем:2 модуля по 2 Гб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет; CAS Latency (CL):9; RAS to CAS Delay (tRCD):9; Row Precharge Delay (tRP):9; Activate to Precharge Delay (tRAS):27; Количество чипов каждого модуля:16, двусторонняя упаковка; Напряжение питания:1.65 В; Радиатор:есть;
Товар не представлен в магазинах

Тип памяти:DDR3; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Тактовая частота:1333 МГц; Пропускная способность:10600 Мб/с; Объем:1 модуль 2048 Мб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет; Напряжение питания:1.5 В; CAS Latency (CL):9;

Тип памяти:DDR3; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Тактовая частота:1333 МГц; Объем:1 модуль 2 Гб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет; CAS Latency (CL):9;

Тип памяти:DDR; Тактовая частота:400 МГц; Напряжение питания:2.6 В; Форм-фактор:SODIMM 200-контактный; Объем:1 модуль 1 Гб; Тип памяти:DDR; Форм-фактор:SODIMM 200-контактный; Тактовая частота:400 МГц; Объем:1 модуль 1 Гб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет; CAS Latency (CL):3; Количество чипов каждого модуля:16, двусторонняя упаковка;

Тип памяти:DDR3; Тактовая частота:1600 МГц; Объем:2 модуля по 2 Гб; Радиатор:есть; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Пропускная способность:12800 Мб/с; Напряжение питания:1.35 В; Тип памяти:DDR3; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Тактовая частота:1600 МГц; Пропускная способность:12800 Мб/с; Объем:2 модуля по 2 Гб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет;
от 402 до 402 грн.

Тип памяти:DDR3; Тактовая частота:1333 МГц; Объем:1 модуль 2 Гб; Форм-фактор:SODIMM 204-контактный; Пропускная способность:10600 Мб/с; Напряжение питания:1.5 В; Тип памяти:DDR3; Форм-фактор:SODIMM 204-контактный; Тактовая частота:1333 МГц; Пропускная способность:10600 Мб/с; Объем:1 модуль 2 Гб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет;

Тип памяти:DDR3; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Тактовая частота:1600 МГц; Пропускная способность:12800 Мб/с; Объем:1 модуль 2 Гб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет; CAS Latency (CL):9; RAS to CAS Delay (tRCD):9; Row Precharge Delay (tRP):9; Радиатор:есть; Дополнительная информация:напряжение питания 1.5В или 1.6В;
от 158 до 158 грн.

Тип памяти:DDR2; Форм-фактор:DIMM 240-контактный; Тактовая частота:800 МГц; Пропускная способность:6400 Мб/с; Объем:2 модуля по 2048 Мб; Поддержка ECC:нет; Буферизованная (Registered):нет; Низкопрофильная (Low Profile):нет; Напряжение питания:1.8 В; Радиатор:есть; CAS Latency (CL):5; RAS to CAS Delay (tRCD):5; Row Precharge Delay (tRP):5;
Товар не представлен в магазинах